企业简介
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中国科学院微电子研究所的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 16965115 |  |
中科健康 | 2015-05-15 | 医药咨询；健康咨询；远程医学服务；保健；医疗辅助；饮食营养指导；休养所；治疗服务；医疗护理；矿泉疗养 | 查看详情 |
| 2 | 16965121 |  |
中科健康电子 | 2015-05-15 | 医疗辅助；医药咨询；健康咨询；远程医学服务；休养所；医疗护理；保健；治疗服务；饮食营养指导；矿泉疗养 | 查看详情 |
| 3 | 16964987 |  |
中科健康电子 | 2015-05-15 | 云计算；替他人研究和开发新产品；技术研究；科学研究；科学实验室服务；机械研究；托管计算机站（网站）；提供互联网搜索引擎；软件运营服务（SaaS）；计算机软件安装 | 查看详情 |
| 4 | 16965125 |  |
中科健康 | 2015-05-15 | 机械研究；科学研究；技术研究；替他人研究和开发新产品；科学实验室服务；云计算；计算机软件安装；软件运营服务（SaaS）；提供互联网搜索引擎；托管计算机站（网站） | 查看详情 |
| 5 | 16964982 |  |
中科健康电子 | 2015-05-15 | 广告宣传；为零售目的在通讯媒体上展示商品；特许经营的商业管理；组织商业或广告交易会；通过网站提供商业信息；组织技术展览；市场营销；进出口代理；为商品和服务的买卖双方提供在线市场；寻找赞助 | 查看详情 |
| 6 | 5283195 |  |
IMECAS | 2006-04-13 | 技术研究；技术项目研究；科研项目研究；研究与开发 | 查看详情 |
| 7 | 16964867 |  |
中科健康 | 2015-05-15 | 广告宣传；为零售目的在通讯媒体上展示商品；组织商业或广告交易会；通过网站提供商业信息；特许经营的商业管理；组织技术展览；进出口代理；市场营销；为商品和服务的买卖双方提供在线市场；寻找赞助 | 查看详情 |
中国科学院微电子研究所的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103779212B | 半导体结构及其制造方法 | 2016.11.16 | 本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供SOI衬底(200)，所述衬底从下至上依次包括基底层( |
| 2 | CN106033951A | 高效率功率放大器电路 | 2016.10.19 | 本发明提供了一种高效率功率放大器电路，解决了现有技术中系统能耗高的问题。所述高效率功率放大器电路包括 |
| 3 | CN103633009B | 浅沟槽隔离及其制造方法 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种STI结构，包括衬底以及衬底中的隔离氧化物,其特征在于：在100K温度下,隔离氧化物 |
| 4 | CN103854982B | 半导体器件的制造方法 | 2016.09.28 | 公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上限定有源区；在半导体衬底的表面上形成界面氧 |
| 5 | CN103456782B | 半导体器件及其制造方法 | 2016.12.14 | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构下方的衬底中的沟道区、以及沟 |
| 6 | CN103855010B | FinFET及其制造方法 | 2016.12.21 | 公开了一种FinFET及其制造方法。该制造FinFET的方法包括：在半导体衬底上形成第一半导体层；在 |
| 7 | CN103681274B | 半导体器件制造方法 | 2016.12.28 | 本发明提供了一种假栅结构的制造方法。本发明在假栅材料层之上形成了ONO结构和顶层非晶硅层，首先以图案 |
| 8 | CN103964364B | 微纳尺度静电力开关及其制造方法 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种微纳尺度静电力开关，包括：衬底，包括绝缘层与背电极；源电极与漏电极，位于衬底上，沿第 |
| 9 | CN105987757A | 太赫兹焦平面阵列及检测与成像装置 | 2016.10.05 | 本发明公开了一种太赫兹焦平面阵列，包括框架、悬臂梁和吸收结构；其中，吸收结构，包括依次层叠的第一金属 |
| 10 | CN103681817B | IGBT器件及其制作方法 | 2016.09.14 | 本发明实施例公开了一种IGBT器件，包括：衬底和位于衬底正面的栅极结构和源极结构，位于所述衬底背面的 |
| 11 | CN103914403B | 一种混合内存访问情况的记录方法及其系统 | 2016.11.02 | 本发明提供了一种内存访问情况的记录方法，包括步骤：获取页表项中空闲位和脏位的表征值；进行写回步骤，具 |
| 12 | CN106094087A | 一种单级衍射光栅 | 2016.11.09 | 本发明提供了一种单级衍射光栅，所述衍射光栅包括：不透光薄膜及N个透光孔；其中，所述N个透光孔以预设的 |
| 13 | CN205646074U | 探针型波导微带转换装置 | 2016.10.12 | 本实用新型公开了一种探针型波导微带转换装置。该装置包括：波导，包括连通的第一波导、第二波导和连接第一 |
| 14 | CN101119100A | 一种具有温度补偿的高增益宽带放大器电路 | 2008.02.06 | 本发明公开了一种具有温度补偿的高增益宽带放大器电路，包括传统的基于达林顿管常规射频宽带放大器电路，与 |
| 15 | CN101329291A | 一种气敏传感器 | 2008.12.24 | 本发明涉及微机电系统技术领域，公开了一种气敏传感器，包括单晶硅衬底，起支撑作用的二氧化硅/氮化硅层， |
| 16 | CN101655883A | 一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法 | 2010.02.24 | 本发明涉及一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法，属于半导体器件技术领域。所述方法包括以下步骤 |
| 17 | CN101458368A | 实现将光纤阵列插入微孔阵列的装置及方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种实现将光纤阵列插入微孔阵列的装置，其特征在于，该装置包括L形基座8、弹簧9和载片架1 |
| 18 | CN100586025C | 一种乘法数字模拟转换电路及其应用 | 2010.01.27 | 本发明公开了一种MDAC电路，该电路由四相时钟进行控制，包括运放、第一开关电容单元、第二开关电容单元 |
| 19 | CN100586024C | 双采样乘法数字模拟转换电路及其应用 | 2010.01.27 | 本发明公开了一种双采样乘法数字模拟转换电路，包括运放、第一差分开关电容单元、第二差分开关电容单元和第 |
| 20 | CN100466171C | 基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺 | 2009.03.04 | 本发明一种基于自支撑薄膜高高宽比深亚微米、纳米金属结构制作工艺，属于半导体技术中的微细加工领域，其工 |
| 21 | CN103633123B | 一种纳米线衬底结构及其制备方法 | 2016.07.27 | 本发明公开了一种纳米线衬底结构及其制备方法，该纳米线衬底结构包括：单晶衬底；形成于单晶衬底上的缓冲层 |
| 22 | CN104699159B | 一种C类反相器的恒定跨导偏置电路 | 2016.09.21 | 本发明公开了一种C类反相器的恒定跨导偏置电路，包括基于反相器的开关电容积分器和恒定跨导偏置电路，所述 |
| 23 | CN100500924C | 一种金属纳米晶薄膜的制备方法 | 2009.06.17 | 本发明公开了一种金属纳米晶薄膜的制备方法，该方法包括：A、在绝缘衬底上淀积一层金属薄膜；B、在惰性气 |
| 24 | CN101599751A | 一种基于NMOS晶体管的90°移相器 | 2009.12.09 | 本发明涉及一种基于NMOS晶体管的90°移相器，属于射频微波集成电路设计技术领域。所述90°移相器由 |
| 25 | CN105789301A | 鳍式场效应晶体管、鳍结构及其制造方法 | 2016.07.20 | 本发明提出了一种鳍结构的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有硅鳍；在硅鳍表面上 |
| 26 | CN103777136B | 一种现场可编程门阵列的配置方法 | 2016.06.08 | 本发明公开了一种现场可编程门阵列的配置方法，该现场可编程门阵列包括多个逻辑模块、多个X方向上的布线资 |
| 27 | CN101086966A | 一种纳米级库仑岛结构的制备方法 | 2007.12.12 | 本发明公开了一种纳米级库仑岛结构的制备方法，包括：A.在衬底的导电层上涂敷电子抗蚀剂；B.对涂敷的电 |
| 28 | CN105662368A | 中医脉诊传感器、中医脉诊诊疗系统及健康服务平台 | 2016.06.15 | 一种中医脉诊传感器装置，包括脉诊阵列传感器，该脉诊阵列传感器根据寸上、寸、关、尺、尺下诊断金标准设计 |
| 29 | CN103681780B | 一种高压超结终端结构 | 2016.08.17 | 本发明提供了一种高压超结终端结构，包括由间隔分布的P+,N‑,N+柱构成的超结区和拥有金属场板和SI |
| 30 | CN103854966B | 平坦化处理方法 | 2016.08.24 | 本申请公开了一种平坦化处理方法。一示例方法可以包括：对材料层进行第一溅射，在进行第一溅射时，以第一掩 |
| 31 | CN105762194A | 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 | 2016.07.13 | 一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法，该制造方法包括以下步骤：利用顶栅金属作为掩膜保护顶栅金属下方的栅 |
| 32 | CN105789365A | 半导体器件 | 2016.07.20 | 本发明提供了一种半导体X线探测器及其制造方法和操作方法，将低温TFT集成在硅基二极管阵列中，以形成在 |
| 33 | CN103633016B | 一种半导体结构及其制造方法 | 2016.08.03 | 本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括：a)在衬底上形成金属互连线；b)形成覆盖所述金属互连线的掩 |
| 34 | CN100466204C | 一种纳米级库仑岛结构的制备方法 | 2009.03.04 | 本发明公开了一种纳米级库仑岛结构的制备方法，包括：A、在衬底的导电层上涂敷电子抗蚀剂；B、对涂敷的电 |
| 35 | CN101458337A | 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计 | 2009.06.17 | 本发明涉及电离辐射剂量测量领域，公开了一种基于SOI技术的可重复利用PMOS辐射剂量计，包括背栅电极 |
| 36 | CN105702600A | 一种半导体设备进气装置 | 2016.06.22 | 本发明涉及半导体刻蚀机、注入机系统技术领域，尤其涉及一种半导体设备进气装置。所述进气装置，用于将反应 |
| 37 | CN105702737A | 连接有负电容的多栅FinFET及其制造方法及电子设备 | 2016.06.22 | 公开了一种多栅FinFET及其制造方法及包括该FinFET的电子设备，其中所述多栅FinFET的栅极 |
| 38 | CN105702748A | 一种硅基像素探测器电路及其形成方法 | 2016.06.22 | 本发明提供一种硅基像素探测器电路，第一探测器和第二探测器的感测节点分别连接至差分放大器电路的两个输入 |
| 39 | CN102968527B | 参数化生成多倍强度驱动单元的方法 | 2016.08.03 | 本发明提供一种参数化生成多倍强度驱动单元的方法，包括：a）准备单位驱动强度单元的版图，所述单位驱动强 |
| 40 | CN102810476B | 鳍式场效应晶体管的制造方法 | 2016.08.03 | 本发明实施例公开了一种鳍式晶体管的制造方法，在形成鳍后，在鳍上形成横跨鳍的伪栅条，在伪栅条两侧的覆盖 |
| 41 | CN105304715B | FinFET及其制造方法 | 2016.08.17 | 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的半导体鳍状结构；以及在鳍状结 |
| 42 | CN105718611A | FinFET工艺标准单元库版图结构设计方法 | 2016.06.29 | 一种FinFET工艺标准单元库版图结构设计方法，包括：步骤1，根据工艺仿真得到鳍片间距的容许值；步骤 |
| 43 | CN103578960B | 一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法，该方法是在SiC衬底背面上依次蒸发金属Ni、Ti |
| 44 | CN105932053A | 半导体结构及其形成方法 | 2016.09.07 | 本发明提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；界面层，形成于半导体衬底上；第一介质层，形成于所述界面 |
| 45 | CN105932057A | 基于外延层的纳米线器件及其制造方法及包括其的电子设备 | 2016.09.07 | 公开了半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；与衬底相隔开的至少一条沿弯曲纵向 |
| 46 | CN105742231A | 形成纳米线阵列的方法 | 2016.07.06 | 一种形成纳米线阵列的方法，包括：步骤1、执行多个周期性刻蚀工艺，在衬底上形成多个纳米线构成的阵列；步 |
| 47 | CN105742228A | 半导体器件制造方法 | 2016.07.06 | 本发明提供了一种半导体制造方法，在刻蚀形成TSV孔洞之后，采用了3D增材方式进行TSV填充，首先通过 |
| 48 | CN105895530A | 二维材料结构的制造方法和二维材料器件 | 2016.08.24 | 本发明提出了一种二维材料结构的制造方法和二维材料器件。所述二维材料结构的制造方法包括：在衬底上形成牺 |
| 49 | CN101118580A | 一种数字产品内容保护系统及方法 | 2008.02.06 | 本发明公开了一种数字产品内容保护系统，该系统包括：挑选器，用于从接收的原始内容中解析并挑选出运动矢量 |
| 50 | CN101118924A | 一种高击穿电压绝缘体上硅器件结构及其制备方法 | 2008.02.06 | 本发明公开了一种高击穿电压SOI器件结构，包括SOI衬底(3)，埋氧层(2)，形成在SOI顶层硅膜( |
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